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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：公开了一种在衬底上外延生长磷掺杂硅层的方法。目前描述的方法的实施例包括将衬底暴露于硅前体和磷前体，其中衬底暴露于磷前体是在与暴露于硅前体重叠的时间段内完成的。
主权项：1.一种用于在衬底上外延生长磷掺杂硅层的方法，该方法包括：-向处理室提供衬底，该衬底包括第一表面，该第一表面是单晶的，-将衬底暴露于硅前体和磷前体，从而在单晶表面上外延生长磷掺杂硅层，其中，磷前体包括卤化磷，并且其中衬底暴露于磷前体是在与暴露于硅前体重叠的时间段内完成的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 用于沉积含磷硅层的方法
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