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单侧引出电压测试焊盘的单通孔跨层型电迁移测试结构 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种单侧引出电压测试焊盘的单通孔跨层型电迁移测试结构,包括硅衬底层和绝缘介质层,所述硅衬底层的顶部设有所述绝缘介质层,还包括:位于所述绝缘介质层内部的金属化测试线、互连检测线和通孔;所述金属化测试线:用于进行电迁移效应的测试;所述互连检测线:用于互连和进行检测的金属线;所述通孔:用于多层级结构互连;大面积金属化的电流测试焊盘和电压测试焊盘:分别用于电流输入和电压读取。所述互连检测线包括:测试线互连段、金属互连线和电压检测线。所述测试结构,包含两层金属层,用于评价半导体器件制造过程中引起的电迁移可靠性问题。

主权项:1.一种单侧引出电压测试焊盘的单通孔跨层型电迁移测试结构,包括硅衬底层和绝缘介质层,所述硅衬底层的顶部设有所述绝缘介质层,其特征在于,还包括:位于所述绝缘介质层内部的金属化测试线(1)、互连检测线(2)、通孔(3)、电流测试焊盘(4)和电压测试焊盘(5);所述金属化测试线(1),用于进行电迁移效应的测试;所述互连检测线(2),用于互连和进行检测的金属线;所述通孔(3),用于多层级结构互连;大面积金属化的电流测试焊盘(4)和电压测试焊盘(5),分别用于电流输入和电压读取;所述互连检测线(2)包括:测试线互连段(21)、金属互连线(22)和电压检测线(23);所述测试结构,包含两层金属层;其中所述金属化测试线(1)、所述金属互连线(22)和所述电流测试焊盘(4)位于第一层;所述金属化测试线(1)通过所述测试线互连段(21)与所述金属互连线(22)导通,所述金属互连线(22)的引出端连接有所述电流测试焊盘(4),且通过刻蚀工艺使位于所述绝缘介质层内部的所述电流测试焊盘(4)裸露;所述电压检测线(23)和所述电压测试焊盘(5)位于第二层;所述电压检测线(23)通过所述通孔(3)与所述金属互连线(22)导通,形成跨层结构,同时所述电压检测线(23)的引出端连接有所述电压测试焊盘(5),且通过刻蚀工艺使位于所述绝缘介质层内部的所述电压测试焊盘(5)裸露;所述金属化测试线(1)采用两种工艺线宽,分别为固定线宽和最小线宽;且其固定线宽为2μm,最小线宽遵照产品工艺线设计规则,工艺线宽应当大于金属化测试线(1)中金属晶粒的平均尺寸;其长度均大于800μm;且金属化测试线(1)是一条设计在氧化层上的长金属化电阻条,电阻条横截面积需保持均匀;所述测试线互连段(21),其线宽为所述金属化测试线(1)的长度的2倍;其长度需满足所述金属化测试线(1)与所述金属化测试线(1)加两端的所述测试线互连段(21)长度之比大于等于95%,且等于8μm;所述金属互连线(22)的线宽为所述金属化测试线(1)的长度的2倍,其长度等于80μm;所述电压测试焊盘(5)、所述电流测试焊盘(4)的长度和宽度至少应设计为不小于所述金属互连线(22)宽度的5倍;所述电压检测线(23)的线宽小于等于所述金属化测试线(1)的线宽,其长度等于80μm;在进行测试时,需要在电流源两端加电流,通过独立的电压回路测量金属线两端的电压,观察金属线的电阻变化量,用于评价半导体器件制造过程中引起的电迁移可靠性问题。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 单侧引出电压测试焊盘的单通孔跨层型电迁移测试结构

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