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申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司

摘要：本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，MarchC*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的MarchRAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。

主权项：1.一种RRAM的故障测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对RRAM故障模型的故障原语进行分析，针对每个故障模型推导出所需要的测试序列；步骤2、根据需要的测试序列推导出March-RAWR测试算法；步骤3、根据March-RAWR算法，构建适用于RRAM的MBIST电路；步骤4、对RRAM注入故障并使用MBIST电路对RRAM进行故障检测，测试完成后输出故障单元的地址信息；其中，所述RRAM故障模型包含RRAM特殊故障以及常规故障，RRAM根据电阻大小不同共有五种状态，即Deep1，Logic1，USF，Logic0，Deep0；对于处于未定义态的RRAM，设置两个处在USF状态边界的电阻Rref1和Rref0分别对应rref1和rref0读操作的参考电阻，Rref0Rref1，用于检测RRAM的USF状态；处于Logic0和Logic1状态的RRAM电阻为R0和R1，将r0和r1操作对应的参考电阻Rr大小设置为（R0+R1）2，区分0状态和1状态，用于常规故障的检测；所述March-RAWR测试算法，具体描述为：{M1↑↓w0;M2↑rref0w0r0nr0w1r1w1rref1;M3↑rref1w1r1nr1w0r0w0rref0;M4↓rref0w0r0r0w1r1w1r1；M5↓rref1w1r1r1w0r0w0r0;M6↑↓r0}；其中，M1-M6为元素，↑代表地址升序，↓代表地址降序，↑↓代表地址可以升序也可以降序，w0代表对选中的存储单元写入0数据，w1代表对选中的存储单元写入1数据；r0代表对选中的存储单元进行读0操作，此时存储单元期望的数据值为0；r1代表对选中的存储单元进行读1操作，此时存储单元期望的数据值为1；r0n代表对选中的存储单元进行n次连续的读0操作；r1n代表对选中的存储单元进行n次连续的读1操作；rref1，rref0代表用于检测RRAM特有故障的读操作。

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