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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、进气部件、承载部件、上射频组件、多个紫外光发生装置和设置在腔室本体顶部的介质窗，承载部件设置在腔室本体内，并对应设置于介质窗下方；进气部件贯穿于介质窗中心；上射频组件设置于腔室本体的上方，用于对通入腔室本体内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；多个紫外光发生装置设置在介质窗和承载部件之间，并环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布；紫外光发生装置与介质窗之间具有预设夹角，用于产生朝向承载部件照射的第二紫外光。本发明提供的半导体反应腔室能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。
主权项：1.一种半导体反应腔室，包括腔室本体、介质窗、进气部件、承载部件和上射频组件，所述介质窗设置在所述腔室本体的顶部；所述承载部件设置在所述腔室本体内，并对应设置于所述介质窗下方，所述承载部件用于承载待加工晶片；所述进气部件贯穿于所述介质窗中心，用于向所述腔室本体内通入工艺气体；所述上射频组件设置于所述腔室本体的上方，用于对通入所述腔室本体内的所述工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；其特征在于，所述工艺腔室还包括多个紫外光发生装置，多个所述紫外光发生装置设置在所述介质窗和所述承载部件之间；所述紫外光发生装置与所述介质窗之间具有预设夹角；多个所述紫外光发生装置环绕在所述进气部件的周围，且沿所述腔室本体的周向均匀间隔分布，各所述紫外光发生装置均用于产生朝向所述承载部件照射的第二紫外光；所述第二紫外光用于与所述第一紫外光配合，以使照射向承载于所述承载部件上的待加工晶片的紫外光能够在所述待加工晶片上均匀分布。
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权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体反应腔室
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