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半导体发光器件 

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申请/专利权人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

摘要:本发明涉及发光二极管领域,公开了一种半导体发光器件,包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层;第一电极层包括至少一个第一P型和第二N型电极;第二电极层包括至少一个第二P型和第二N型电极;第一与第二P型电极电性连接,第一与第二N型电极电性连接;第二P型电极的临近N型半导体层外缘的外侧面上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部;各内凹部的总面积占第二电极层面积的5~20%。本申请在保证第一和第二P型电极正常的电性连接的情况下,通过在第二P型电极临近N型半导体层外缘的外侧面上设置内凹部,实现减小第二电极层的面积,提高芯片的反射率,从而提高芯片整体亮度。

主权项:1.一种半导体发光器件,包括从下至上依次设置的衬底(100)、具有PN台阶的外延层、第一电极层、第一绝缘层(600)和第二电极层;所述第一电极层包括至少一个第一P型电极(510)和至少一个第一N型电极(520);所述第二电极层包括至少一个第二P型电极(710)和至少一个第二N型电极(720);所述第一P型电极(510)通过所述第一绝缘层(600)上开设的第一通孔(511)与所述第二P型电极(710)电性连接,所述第一N型电极(520)通过所述第一绝缘层(600)上开设的第二通孔(521)与所述第二N型电极(720)电性连接;其特征在于,所述第二P型电极(710)具有连接其上下表面的且临近所述N型半导体层(210)外缘的外侧面(711);所述外侧面(711)上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部(1410);各所述内凹部(1410)的总面积占所述第二电极层面积的5~20%;在所述第二电极层上还依次设有第二绝缘层(800)、支撑层(900)、第三绝缘层(1000)和焊盘电极层;所述第二绝缘层(800)用于将所述第二P型电极(710)与所述第二N型电极(720)绝缘;所述第三绝缘层(1000)完全覆盖所述第二绝缘层(800)和所述支撑层(900)形成的表面;所述支撑层(900)通过所述第二绝缘层(800)与所述第二电极层绝缘隔离;并且所述支撑层(900)通过所述第三绝缘层(1000)与所述焊盘电极层绝缘隔离。

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权利要求:

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