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申请/专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种应用于三维QLC闪存芯片的译码均衡优化方法，所述三维QLC闪存芯片包括多个目标类型闪存块，该闪存块具有第一类存储层和第二类存储层，第一类存储层内的逻辑页均为QLC页，第二类存储层包括QLC页和SLC页。所述方法包括：将目标类型闪存块的每个存储层的四种QLC页划分为低误码率QLC页和高误码率QLC页；响应于针对三维QLC闪存芯片的任一闪存块的数据写入指令，对待写入的数据进行LDPC编码，并优先将编码后的数据写入各个存储层的低误码率QLC页，若各个存储层的低误码率QLC页已被写满，则将其余的编码后的数据写入各个存储层的高误码率QLC页，同时将写入高误码率QLC页的数据中的奇比特复制写入SLC页。本发明能够解决现有三维QLC闪存芯片因译码迭代次数不均衡而影响自身读性能的问题。
主权项：1.一种应用于三维QLC闪存芯片的译码均衡优化方法，其特征在于，所述三维QLC闪存芯片包括多个目标类型闪存块，所述目标类型闪存块具有第一类存储层和第二类存储层，所述第一类存储层内的逻辑页均为QLC页，所述第二类存储层包括QLC页和SLC页；所述译码均衡优化方法包括：将所述目标类型闪存块的每个存储层的四种QLC页划分为低误码率QLC页和高误码率QLC页；响应于针对所述三维QLC闪存芯片的任一闪存块的数据写入指令，对待写入的数据进行LDPC编码，并优先将编码后的数据写入各个存储层的低误码率QLC页，若各个存储层的低误码率QLC页已被写满，则将其余的编码后的数据写入各个存储层的高误码率QLC页，同时将写入高误码率QLC页的数据中的奇比特复制写入所述SLC页。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海威固信息技术股份有限公司 一种应用于三维QLC闪存芯片的译码均衡优化方法
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