龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种改善RRAM器件低阻问题的方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括层间介质层、金属互连结构、DNC层及通孔结构，其中，金属互连结构形成于层间介质层内，DNC层形成于层间介质层的表面，通孔结构形成于DNC层内，且与金属互连结构电连通；于DNC层及通孔结构的表面形成由下至上层叠的RRAM底部金属电极层、可变电阻介电层及RRAM顶部金属电极层；刻蚀RRAM顶部金属电极层、可变电阻介电层及RRAM底部金属电极层以于通孔结构的上方形成RRAM结构；通过N2Oplasma处理工艺于RRAM结构的侧壁形成保护层。通过本发明改善了现有的RRAM器件所存在的低阻问题。
主权项：1.一种改善RRAM器件低阻问题的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括层间介质层、金属互连结构、DNC层及通孔结构，其中，所述金属互连结构形成于所述层间介质层内，所述DNC层形成于所述层间介质层的表面，所述通孔结构形成于所述DNC层内，且与所述金属互连结构电连通；于所述DNC层及所述通孔结构的表面形成由下至上层叠的RRAM底部金属电极层、可变电阻介电层及RRAM顶部金属电极层；刻蚀所述RRAM顶部金属电极层、所述可变电阻介电层及所述RRAM底部金属电极层以于所述通孔结构的上方形成RRAM结构；通过N2Oplasma处理工艺于所述RRAM结构的侧壁形成保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善RRAM器件低阻问题的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号