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申请/专利权人：深圳市晶扬电子有限公司

摘要：本发明公开了一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路，被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间，其包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路，其中：快速启动电路包括第一电阻R1、第二PNP三极管Q2、第一正向二极管D1、第二正向二极管D2以及第一高压PMOS管PM1，泄放电路包括第一高压NMOS管NM1、第一高压NPN管Q1、第二电阻R2、第二高压PMOS管PM2、第三高压PMOS管PM3、第三电阻R3、第七二极管D7、第二高压NMOS管NM2、第四电阻R4以及第三高压NMOS管NM3，电压箝位电路包括第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5以及第六二极管D6。本发明可以有效减小二极管的尺寸，节省版图面积，并减少二极管的电容，有助于提高稳压功能的响应速度，实现更可靠的保护功能。

主权项：1.一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路，被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间，其特征在于，包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路，其中：快速启动电路包括第一电阻R1、第二PNP三极管Q2、第一正向二极管D1、第二正向二极管D2以及第一高压PMOS管PM1，泄放电路包括第一高压NMOS管NM1、第一高压NPN管Q1、第二电阻R2、第二高压PMOS管PM2、第三高压PMOS管PM3、第三电阻R3、第七二极管D7、第二高压NMOS管NM2、第四电阻R4以及第三高压NMOS管NM3，电压箝位电路包括第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5以及第六二极管D6，第一电阻R1的PLUS端接电源电压端avdd，第一电阻R1的MINUX端连接第二PNP三极管Q2的发射极，第二PNP三极管Q2的基极连接第一正向二极管D1的PLUS端，第二正向二极管D2的PLUS端连接第一正向二极管D1的MINUX端口和第一高压PMOS管PM1的栅极，构成节点A，用于使第一高压PMOS管PM1快速导通，第一高压PMOS管PM1漏极连接第二高压NMOS管NM2的栅极、第三电阻R3的PLUS端和第三高压PMOS管PM3的漏极，构成节点C，第三二极管D3的PLUS端连接第二正向二极管D2的MINUX端，第三二极管D3的MINUX端连接第四二极管D4的PLUS端，第四二极管D4的MINUX端连接第五二极管D5的PLUS端，第五二极管D5的MINUX端连接第六二极管D6的PLUS端和第一高压NMOS管NM1的栅极，第六二极管D6的MINUX端连接第一高压NPN管Q1的基极，第一高压NMOS管NM1的栅极连接第五二极管D5的MINUX端和第六二极管D6的PLUS端，第一高压NMOS管NM1源极连接第一高压NPN管Q1的集电极，第一高压NPN管Q1的基极连接第六二极管D6的MINUX端，第一高压NPN管Q1的发射极连接第二电阻R2的PLUS端，第二电阻R2的MINUX端连接接地端avss，第二高压PMOS管PM2的漏极连接第一高压NMOS管NM1的漏极和第二高压PMOS管PM2的栅极，第二高压PMOS管PM2的源极连接电源端avdd，第三高压PMOS管PM3的栅极连接第二高压PMOS管PM2的栅极，用作镜像电流，第三高压PMOS管PM3的源极连接电源端avdd，第三高压PMOS管PM3的漏极连接第三电阻R3的PLUS端、第二高压NMOS管NM2的栅极、第七二极管D7的PLUS端和第一高压PMOS管PM1的漏极，构成节点C，第三电阻R3的MINUX端连接接地端avss，第七二极管D7的MINUX端连接接地端avss，第二高压NMOS管NM2的漏极连接电源端avdd，第二高压NMOS管NM2的源极接第四电阻R4的PLUS端和第三高压NMOS管NM3的栅极，构成节点D，第四电阻R4的MINUX端连接接地端avss，第三高压NMOS管NM3的漏极连接电源端avdd，第三高压NMOS管NM3的源极连接接地端avss。

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