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申请/专利权人：深圳市安信达存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法，属于芯片的抗辐射处理技术领域。所述方法包括：配备抗辐射涂层的原料，所述抗辐射涂层包括以下原料：硫酸钡、粘结树脂、锐型钦白粉、固化剂；将硫酸钡、粘结树脂和锐型钦白粉混合研磨得粉末料，向粉末料中加入固化剂后，经喷涂于所述表面处理所得的芯片表面，固化，得抗辐射涂层；所述粘结树脂由双环氧基封端的硅氧烷与三元醇在碱性条件下经超支化反应形成。本粉末采用抗辐射涂敷，在嵌入式存储芯片表面形成一层超薄抗辐射涂层，即实现了存储芯片的抗腐射性能增强，又未影响到存储芯片的电学性能。
主权项：1.一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法，其特征在于，包括：配备抗辐射涂层的原料，所述抗辐射涂层包括以下重量百分比的原料：35-55%硫酸钡、20-45%粘结树脂、15-25%锐型钦白粉、0.4-1.5%固化剂；将硫酸钡、粘结树脂和锐型钦白粉混合研磨得粉末料，向粉末料中加入固化剂后，喷涂于经表面处理所得的芯片表面，固化，得抗辐射涂层；所述粘结树脂由双环氧基封端的硅氧烷与三元醇在碱性条件下经超支化反应形成；所述双环氧基封端的硅氧烷的分子结构式如下所示： 所述三元醇的分子结构式如下所示： ；所述双环氧基封端的硅氧烷与三元醇的摩尔比为3-4：2；所述超支化反应的反应温度为50-65℃，反应时间为4-24h；所述抗辐射涂层的厚度为5-15μm。
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权利要求：
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