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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明提出了一种实现相干完美吸收的拓扑光子晶体，包括第一光子晶体和层叠在其两侧的第二光子晶体，以及加载在第一光子晶体与任意一个第二光子晶体之间的缺陷层，两种光子晶体具有周期性排布的多个元胞，且两种光子晶体的元胞拓扑性质相反。本发明由于两个光子晶体的拓扑性质相反，在来波的激励下能够在两个分界面处激发局部场强化，并通过缺陷层实现对局部场强化的耦合，使来波满足相干吸收幅值和相位条件，实现相干完美吸收，无需对介质介电常数的增益和损耗因子进行调制，工艺简单，有效降低了加工成本，且通过调整石墨烯薄膜的费米能级，能够实现对相干吸收频率的动态连续调控，有效拓宽了拓扑光子晶体的应用范围。
主权项：1.一种实现相干完美吸收的拓扑光子晶体，其特征在于，包括第一光子晶体和层叠在其两侧的第二光子晶体，以及加载在第一光子晶体与任意一个第二光子晶体之间的缺陷层，所述第一光子晶体、第二光子晶体分别包括周期性排布的M、N个第一元胞、第二元胞，所述第一元胞和第二元胞均包含有第一介质层和第二介质层，且第一元胞与第二元胞的拓扑性质相反；通过电压调整缺陷层的电特性，实现对相干吸收频率的动态调控；其中，M≥6，N≥6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种实现相干完美吸收的拓扑光子晶体
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