龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：交替地堆叠在衬底的上表面上的栅极层和下绝缘层、穿过栅极层和下绝缘层并在竖直方向上延伸的沟道结构、设置在沟道结构上的串选择栅极层、穿过串选择栅极层并在竖直方向上延伸的串选择沟道结构、以及设置在沟道结构和串选择沟道结构之间的空间中并将沟道结构连接至串选择沟道结构的接触焊盘。接触焊盘的下表面接触沟道结构，并且接触焊盘的上表面接触串选择沟道结构。接触焊盘的下表面的第一宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。接触焊盘的上表面的第三宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。
主权项：1.一种半导体装置，包括：多个栅极层和多个下绝缘层，所述多个栅极层和所述多个下绝缘层在垂直于衬底的上表面的竖直方向上交替地堆叠在所述衬底的上表面上；沟道结构，其穿过所述多个栅极层和所述多个下绝缘层并在所述竖直方向上延伸；串选择栅极层，其设置在所述沟道结构上；串选择沟道结构，其穿过所述串选择栅极层并在所述竖直方向上延伸；以及接触焊盘，其设置在所述沟道结构与所述串选择沟道结构之间的空间中，并且将所述沟道结构连接至所述串选择沟道结构，其中，所述串选择沟道结构、所述接触焊盘和所述沟道结构在所述竖直方向上布置，其中，所述接触焊盘的下表面接触所述沟道结构，并且所述接触焊盘的上表面接触所述串选择沟道结构，其中，所述接触焊盘的下表面的第一宽度大于所述接触焊盘的中心部分的第二宽度，并且其中，所述接触焊盘的上表面的第三宽度大于所述接触焊盘的中心部分的第二宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号