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申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要：本申请属于半导体技术领域，公开了一种基于硅锗多雪崩层的锗系SPADs传感器及其制备方法，传感器包括：读出电路、N型电极、P型电极、钝化层和平面传感器晶圆；平面传感器晶圆包括依次叠加的N型重掺杂Si层、硅锗多雪崩层、P型电荷层、传感层和P型重掺杂锗层，以及多个以第二预设间隔分布的凹槽；钝化层覆盖在P型重掺杂锗层和各凹槽的内壁上；P型电极连接P型重掺杂锗层；N型电极设于第二凹槽内，并与N型重掺杂Si层连接；读出电路分别连接N型电极和P型电极。本申请能够降低器件的工作电压、暗电流和器件的暗计数率，提升雪崩增益。
主权项：1.一种基于硅锗多雪崩层的锗系SPADs传感器，其特征在于，包括：读出电路、N型电极、P型电极、钝化层和平面传感器晶圆；所述平面传感器晶圆包括依次叠加的N型重掺杂Si层、硅锗多雪崩层、P型电荷层、传感层和P型重掺杂锗层；所述P型电荷层包括多个长度相等的P型电荷子层，各个所述P型电荷子层以第一预设间隔均匀嵌在所述硅锗多雪崩层上；所述平面传感器晶圆还包括多个以第二预设间隔分布的凹槽；所述凹槽位于相邻两个所述P型电荷子层之间，包括第一凹槽和第二凹槽；所述第一凹槽依次贯穿所述P型重掺杂锗层、所述传感层和所述硅锗多雪崩层；所述第二凹槽在所述第一凹槽的基础上贯穿所述硅锗多雪崩层和所述N型重掺杂Si层；所述第一凹槽的长度大于所述第二凹槽的长度，小于所述第一预设间隔；所述钝化层覆盖在所述P型重掺杂锗层和各所述凹槽的内壁上；所述P型电极连接所述P型重掺杂锗层；所述N型电极设于所述第二凹槽内，并与所述N型重掺杂Si层连接；所述读出电路分别连接所述N型电极和所述P型电极。
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百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种基于硅锗多雪崩层的锗系SPADs传感器及其制备方法
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