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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种NORDFlash存储区和逻辑区差异化形成侧墙的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出存储区和外围逻辑器件区的有源区，存储区的有源区上形成有存储单元叠层结构，外围逻辑器件区的有源区上形成有栅极叠层结构，分别形成存储区和外围逻辑器件区上的轻掺杂漏；依次在衬底上形成覆盖存储单元叠层结构、外围栅极叠层的第一氧化层、氮化层、第二氧化层，第一氧化层、氮化层、第二氧化层分别为第一至三目标厚度，回刻蚀第二氧化层，氮化层作为回刻蚀中的保护层。本发明在保证逻辑区器件侧墙不减薄的基础上，大幅减薄存储器区侧墙，既保证了逻辑区器件的正常表现，又拓宽了存储区相关多道工艺的窗口。
主权项：1.一种NORDFlash存储区和逻辑区差异化形成侧墙的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出存储区和外围逻辑器件区的有源区，所述存储区的有源区上形成有存储单元叠层结构，所述外围逻辑器件区的有源区上形成有栅极叠层结构，分别形成所述存储区和所述外围逻辑器件区上的轻掺杂漏；步骤二、依次在所述衬底上形成覆盖所述存储单元叠层结构、所述外围栅极叠层的第一氧化层、氮化层、第二氧化层，所述第一氧化层、氮化层、第二氧化层分别为第一至三目标厚度，回刻蚀所述第二氧化层，所述氮化层作为回刻蚀中的保护层，使得位于所述外围栅极叠层上的所述第二氧化层形成为类直角三角形形貌的侧墙结构；步骤三、形成覆盖所述存储区和所述外围逻辑器件区的光刻胶层，光刻打开所述存储区中的所述光刻胶层，刻蚀去除所述存储区中的所述第二氧化层，去除剩余的所述光刻胶层；步骤四、刻蚀所述存储区上的所述第一氧化层、氮化层，以及所述外围逻辑器件区上的所述第一氧化层、氮化层，形成分别位于所述存储单元叠层结构侧壁的第一侧墙结构，以及位于所述外围栅极叠层上的第二侧墙结构，之后分别形成所述存储区和所述外围逻辑器件区上的源漏掺杂区。
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权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 NORD Flash存储区和逻辑区差异化形成侧墙的方法
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