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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种基于SOT‑MTJ的反相器及其驱动方法、制备方法，该反相器包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结以及重金属层，第一磁隧道结的自由层与重金属层的第一表面连接，第二磁隧道结的自由层与重金属层的第二表面连接；第一磁隧道结的参考层和第二磁隧道结的参考层具有相同的磁矩翻转方向，在重金属层中形成自旋极化电流的情况下，第一磁隧道结的自由层的磁矩和第二磁隧道结的自由层的磁矩向相反方向翻转。本公开使磁隧道结的阻态翻转情况仅与重金属层内自旋极化电流的方向有关，与电流大小无关，进而可以在大规模集成时不需要考虑磁隧道结的工艺差异，也不会存在级联失效的问题出现。
主权项：1.一种基于SOT-MTJ的反相器，其特征在于，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结以及重金属层，所述第一磁隧道结的自由层与所述重金属层的第一表面连接，所述第二磁隧道结的自由层与所述重金属层的第二表面连接，所述第一表面和所述第二表面为所述重金属层相对的两个表面；其中，所述第一磁隧道结的参考层和所述第二磁隧道结的参考层具有相同的磁矩翻转方向，在所述重金属层中形成自旋极化电流的情况下，所述第一磁隧道结的自由层的磁矩和所述第二磁隧道结的自由层的磁矩向相反方向翻转。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 中国科学院微电子研究所 基于SOT-MTJ的反相器及其驱动方法、制备方法
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