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溅射薄膜绝压传感器芯体及其制备方法 

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申请/专利权人:中航光电华亿(沈阳)电子科技有限公司

摘要:本发明提供一种溅射薄膜绝压传感器芯体及其制备方法,涉及传感器技术领域。所述溅射薄膜绝压传感器芯体包括基座和ASIC芯片组件,ASIC芯片组件包括ASIC芯片和玻璃罩,基座包括弹性体,弹性体包括膜片和引压口,引压口自基座的一端延伸至膜片,玻璃罩与基座键合,玻璃罩与膜片的背对引压口的一侧围设出真空腔,ASIC芯片与玻璃罩的背对膜片的一侧连接。玻璃罩作为ASIC芯片的衬底,玻璃罩与膜片的背对引压口的一侧围设出真空腔,玻璃罩与基座键合,保证了真空腔的气密性和真空度,真空腔作为溅射薄膜绝压传感器芯体的真空参考腔体,使得溅射薄膜绝压传感器芯体能够实现对绝对压力的测量。

主权项:1.一种溅射薄膜绝压传感器芯体,其特征在于,所述溅射薄膜绝压传感器芯体包括基座和ASIC芯片组件,所述ASIC芯片组件包括ASIC芯片和玻璃罩,所述基座包括弹性体,所述弹性体包括膜片和引压口,所述引压口自所述基座的一端延伸至所述膜片,所述玻璃罩与所述基座键合,所述玻璃罩与所述膜片的背对所述引压口的一侧围设出真空腔,所述ASIC芯片与所述玻璃罩的背对所述膜片的一侧连接;所述弹性体上还形成有过渡层、绝缘层和电阻膜,在所述引压口指向所述膜片的一侧,所述绝缘层、所述过渡层和所述玻璃罩依次设置,所述电阻膜设置在所述过渡层和所述绝缘层之间,所述电阻膜与所述ASIC芯片连接;所述过渡层与所述玻璃罩键合。

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