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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1‑xMxSb1+δ或Ir1‑δSb1‑xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。本发明的铱锑合金可用于基于铁电性的铁电存储器、铁电场效应晶体管、铁电隧道结、压电器件或铁电忆阻器中。
主权项：1.铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1-xMxSb1+δ或Ir1-δSb1-xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 铱锑合金的用途
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