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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明涉及一种集成双自偏置MOS的低功耗SJ‑LIGBT器件，属于半导体领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑drift区、P‑pillar区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑pillar区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑drift区作为衬底。该器件集成的自偏置NMOS由N+区、P‑body区、N‑drift区以及NMOS栅氧化层组成，其中N+区作为源极，N‑drift区作为漏极，P‑body区作为衬底。本发明的导通压降相比传统SJ‑LIGBT器件降低了32％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了74％。

主权项：1.集成双自偏置MOS的低功耗SJ-LIGBT器件，其特征在于：包括基于平面栅工艺集成的自偏置NMOS和自偏置PMOS；所述自偏置NMOS20由漂移区N-drift3、P-body区8、阴极区N+9区、阴极区P+10、阴极金属电极14、NMOS栅极金属电极16以及NMOS栅氧化层17组成，其中N+区作为源极，N-drift区作为漏极，P-body区作为衬底；所述自偏置PMOS21由漂移区N-drift3、P-pillar区7、P-body区8、阴极金属电极14、PMOS栅极金属电极18以及PMOS栅氧化层19组成，其中P-pillar区作为源极，P-body区作为漏极，N-drift区作为衬底；所述自偏置PMOS的栅极和漏极通过金属电极短接在一起实现自偏置功能，自偏置NMOS的栅极和LIGBT的主栅通过金属电极短接在一起实现自偏置功能；该器件还包括阳极P+1、阳极N-buffer2、埋氧层4、衬底5、N-pillar区6、主NMOS栅氧化层11、多晶硅12、主NMOS栅极金属电极13、阳极金属电极16；所述阳极区和阴极区分别位于漂移区两侧，其中阳极N-buffer区2包裹阳极P+区1，所述衬底5、埋氧层4和漂移区从下至上依次层叠，所述P-body区8包裹阴极N+区9和阴极P+区10，阳极金属电极15设置于阳极P+区1上，阴极金属电极14设置于阴极N+区9上；所述自偏置NMOS栅氧化层17和自偏置PMOS栅氧化层19与所述阴极金属电极14相邻但不相接，所述自偏置NMOS栅极金属电极16位于自偏置NMOS栅氧化层17上方；所述自偏置PMOS栅极金属电极18位于自偏置PMOS栅氧化层19上方；漂移区N-drift3、P-body区8、阴极N+区9、P+区10、主NMOS栅氧化层11、多晶硅12、主NMOS栅极金属电极13以及阴极金属电极14构成主NMOS。

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