龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明的目的在于，在使用了氧化镓的结势垒肖特基二极管中，既确保足够的反向耐压又降低导通电阻。结势垒肖特基二极管1包括由氧化镓构成的半导体基板20、设置在半导体基板20上的由氧化镓构成的漂移层30、与漂移层30肖特基接触的阳极电极40和与半导体基板20欧姆接触的阴极电极50。漂移层30具有埋入有导电类型与阳极电极40和漂移层30相反的半导体材料80的中心沟槽61。中心沟槽61的底面32不与阳极电极40相接而与半导体材料80相接，中心沟槽61的侧面33的至少一部分与阳极电极40肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。
主权项：1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：由氧化镓构成的半导体基板；设置于所述半导体基板上的由氧化镓构成的漂移层；与所述漂移层肖特基接触的阳极电极；和与所述半导体基板欧姆接触的阴极电极，所述漂移层具有埋入有导电类型与所述阳极电极和所述漂移层相反的半导体材料的中心沟槽，所述中心沟槽的底面不与所述阳极电极相接而与所述半导体材料相接，所述中心沟槽的侧面的至少一部分与所述阳极电极肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号