买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：北京大学

摘要：本发明公开一种基于铁电场效应晶体管可编程反相器的施密特触发器，属于新型存储与计算技术领域。本发明施密特触发器FE‑ST可以实现尹辛机中具有不同连接度自旋的更新以及可控退火过程，利用铁电极化实现不同参考值的产生，同时利用FE‑ST的可调控回滞窗口结合系统的本征噪声实现可控退火，提高了尹辛机的求解能效。且本发明仅需要6个晶体管和一个电阻，相较于传统引入外部可控可调随机源进行模拟退火的方式显著降低了硬件开销。

主权项：1.一种基于FeFET可编程反相器的施密特触发器FE-ST，其特征在于，包括一可编程反相器FE-INV，FE-INV由nFeFET和pFeFET构成，nFeFET和pFeFET的栅极连接作为FE-INV的输入端Vσ’，nFeFET和pFeFET的漏极连接作为FE-INV的输出端Vint，pFeFET的源极连接电源电压VDD，nFeFET的源极连接地GND，在FE-INV的输出端Vint连接一个CMOS反相器的输入端，CMOS反向器的输出端为VOUT，通过一个电阻与FE-INV的输入端Vσ’连接，在Vσ’和VOUT之间连接一个并联的nMOSFET和pMOSFET，两个MOSFET的漏极和源极相连，并分别与Vσ’和VOUT连接，nMOSFET的栅极为可控退火信号VCA，pMOSFET的栅极为VDD-VCA，当VCA为0V时，两个MOSFET均关断，从Vσ到VOUT构建成一个缓冲器结构，VOUT的值仅取决于Vσ和VS的大小关系，当VCA大于0V时，从Vσ到VOUT构建成一个施密特触发器结构，Vσ从GND上升到VDD时，输出VOUT也会从GND上升到VDD，其上升翻转电压为VST+；Vσ从VDD下降到GND时，输出VOUT也会从VDD下降到GND，其下降翻转电压为VST-，由于VCA的作用，VST+会大于VST，即FE-ST的输出随输入电压的变化关系存在一个回滞窗口，窗口的宽度为VST+-VST-，其会随着VCA的增大而增大，根据自旋的连接度调制铁电极化，编程FE-INV的VS为自旋更新的参考值之后，根据待求解问题的需求施加可控退火信号VCA，在求解问题的初始阶段，VCA为0，Vσ存在一定的波动，在与VS比较时，会随机地产生相反结果；随着迭代求解次数的增加，VCA逐渐增大，使得FE-ST由单个翻转电压VS变为逐渐增大的翻转窗口VS+-VS-，尹辛机系统的抗噪声能力逐渐增大，当FE-ST的翻转窗口超过本征噪声的幅值后，得到最终的优化解。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 基于铁电场效应晶体管可编程反相器的施密特触发器