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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种FDSOI器件，FDSOI衬底的第一区域中的半导体顶层和中间介质埋层被去除并形成有第一沟槽。第一沟槽形成有第二半导体顶层和位于第二半导体顶层底部的空隙结构。第二半导体顶层的顶部表面和半导体顶层的顶部表面相平，底部表面位于半导体顶层的底部表面之上、之下或相平。沟道区形成于第二半导体顶层的部分区域或全部区域中或者还延伸到第二半导体顶层相邻的所述半导体顶层中。源区和漏区自对准形成在栅极结构两侧的半导体顶层或所述第二半导体顶层中。本发明还公开了一种FDSOI器件的制造方法。本发明能消除沟道区底部表面处的由于中间介质埋层所引入的正电荷，改善器件的性能，增加器件的可靠性，同时不会对器件的其它性能产生退化影响。
主权项：1.一种FDSOI器件，其特征在于，包括：FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括依次叠加的半导体底层、中间介质埋层和半导体顶层；FDSOI器件包括沟道区、源区和漏区；所述FDSOI衬底的第一区域中的所述半导体顶层以及所述中间介质埋层被去除并形成有第一沟槽；所述第一沟槽的顶部区域形成有第二半导体顶层以及位于所述第二半导体顶层底部的空隙结构；所述第二半导体顶层的顶部表面和所述半导体顶层的顶部表面相平，所述第二半导体顶层的底部表面位于所述半导体顶层的底部表面之上或之下或所述第二半导体顶层的底部表面和所述半导体顶层的底部表面相平；所述沟道区形成于所述第二半导体顶层的部分区域或全部区域中或者所述沟道区形成于所述第二半导体顶层的部分区域或全部区域并还延伸到所述第二半导体顶层相邻的所述半导体顶层中；所述空隙结构的位于所述沟道区的底部的部分用于消除所述沟道区底部表面处的由于所述中间介质埋层所引入的正电荷；所述沟道区的顶部覆盖有栅极结构；所述源区和所述漏区自对准形成在所述栅极结构两侧的所述半导体顶层或所述第二半导体顶层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FDSOI器件及其制造方法
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