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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种提高CuCr1‑xZnxO2多晶溅射靶材电性能的方法，属于热电材料及器件技术领域。本发明采用固相反应法，经过两次压制和两次烧结，最后按照垂直于压力的宏观面内方向切割，制备CuCr1‑xZnxO2多晶溅射靶材。通过测量多晶样品XRD和测量电阻率‑温度曲线，切割后的样品c轴择优性强、电阻率低。本发明所述方法对于研究P型半导体导电薄膜材料具有重要意义。
主权项：1.一种提高CuCr1-xZnxO2多晶溅射靶材电性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：1将Cu2O、Cr2O3、ZnO粉末混合，充分研磨后压制，然后在空气中烧结，随炉冷却后研磨压制；然后再次烧结；2将烧结后的样品按垂直于压制压力的宏观面内方向切割为片状样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种提高CuCr1-xZnxO2多晶溅射靶材电性能的方法
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