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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明公开了一种基于超低晶态电阻Ge‑Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法，所述的射频开关包括衬底、底电极层即加热元件层，相变层、绝缘层、顶电极层即射频传输层、地导体层、钝化层和共地金属连接层。处于相变层之下的加热元件通过经纬线方式有序排布，且利用硅通孔技术向下穿透钝化层，将地导体层地连接。加热元件层和射频传输层通过绝缘层隔开有效避免信号之间相互干扰，提高了整体器件的射频传输性能。

主权项：1.一种基于超低晶态电阻Ge-Te基相变薄膜射频开关阵列制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：选取单面氧化的高阻单晶SiSiO2作为衬底，清洗后进行正性光刻胶的旋涂和烘干，经电子束光刻图案化后显影定影，磁控溅射沉积50~250nm厚的Pt或W金属底电极和下一层套刻的标记，其中底电极层的电极加热区域为齿状，具体尺寸：长L1为5~15μm，宽L2为1~2μm，间隙宽L3为1~2μm，利用丙酮去胶清洗获得底电极层即加热元件层；步骤2：对沉积有底电极层的衬底进行光刻胶的旋涂和烘干，利用电子束光刻通过十字标记对准进行相变层的图案化，显影定影后磁控溅射50~150nm厚的GeTe相变材料和下一层套刻的标记，去胶清洗获得相变层；步骤3：根据十字标记对准，利用电子束光刻绝缘层的图案化，显影定影后射频磁控溅射沉积50~200nm厚的Si3N4或AlN绝缘层，去胶清洗获得绝缘层；步骤4：在相变层上表面上，根据十字标记对准进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射CrAu作为顶电极，其中Cr层厚度为7～20nm其作用为增加电极粘附性，Au层厚度为100～200nm，去胶清洗后获得射频传输层；步骤5：在电极层两侧根据十字标记对准，进行电子束光刻图案化后沉积溅射250~650nm金属作为地导体层；步骤6：在地导体层表面上通过十字标记对准，进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射50~200nm厚的SiO2或AlN后，去胶清洗获得钝化层；步骤7：在钝化层表面根据十字标记对准，进行电子束光刻图案化后，通过反应离子刻蚀至地导体层获得SiO2或AlN通孔；步骤8：在钝化层上通过十字标记对准，进行电子束光刻套刻图案化，通过磁控溅射沉积金属填满通孔并获得共地金属连接层，完成地导体层的连接，制得所述基于超低晶态电阻Ge-Te基相变薄膜射频开关阵列。

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