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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种FDSOI器件，半导体衬底表面依次形成有第一和第二半导体外延层。在半导体衬底和第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的第一区域之间为第二区域。中间介质埋层由介质离子注入到第一区域中后介质离子和半导体材料退火结合形成。第二区域中自对准形成有将第一半导体外延层完全去除后形成的空隙结构。在第二半导体外延层的顶部形成有栅极结构，被栅极结构所覆盖的第二半导体外延层中形成有沟道区。至少沟道区的部分区域的底部具有空隙结构。本发明还公开了一种FDSOI器件的制造方法。本发明能消除沟道区底部表面处的由中间介质埋层引入的正电荷，改善器件性能，增加器件可靠性，同时不会对器件的其它性能产生退化影响。
主权项：1.一种FDSOI器件，其特征在于，包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底表面的第一半导体外延层以及形成于所述第一半导体衬底表面的第二半导体外延层；在所述半导体衬底和所述第二半导体外延层之间的第一区域中形成有中间介质埋层，相邻的所述第一区域之间为第二区域；所述中间介质埋层由介质离子注入到所述第一区域中后介质离子和所述第一区域中的半导体材料退火结合形成，所述中间介质埋层的厚度大于等于所述第一半导体外延层的厚度且将所述第一区域中的所述第一半导体外延层完全消耗掉；所述第一半导体外延层的材料和所述半导体衬底的材料不同，所述第一半导体外延层的材料和所述第二半导体外延层的材料不同，所述第二区域中自对准形成有将所述第一半导体外延层完全去除后形成的空隙结构；在所述第二半导体外延层的顶部形成有栅极结构，被所述栅极结构所覆盖的所述第二半导体外延层中形成有沟道区；源区和漏区自对准形成在所述栅极结构两侧的所述第二半导体外延层中；至少所述沟道区的部分区域的底部具有所述空隙结构，所述空隙结构的位于所述沟道区的底部的部分用于消除所述沟道区底部表面处的由于所述中间介质埋层所引入的正电荷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FDSOI器件及其制造方法
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