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申请/专利权人:中电国基南方集团有限公司
摘要:本发明涉及一种采用肖特基势垒二极管的太赫兹宽带零偏检波芯片,属于毫米波及太赫兹检波技术领域。该芯片包括介质基板和其下方的接地金属板,所述介质基板上的金属接地由贯穿介质基板的金属通孔与接地金属板连接实现,所述介质基板上从左到右依次是输入GSG结构、串联MIM电容、并联开路微带支节、低阻抗微带传输线、第一并联短路微带支节、第二并联短路微带支节、第一高阻抗连接微带线、肖特基势垒二极管、第二高阻抗连接微带线、并联接地MIM电容和输出GSG结构。本发明解决了毫米波及太赫兹频段检波器对屏蔽腔尺寸设置的依赖性,并具有结构简单、尺寸小、一致性好、易于与其他功能电路集成等优点。
主权项:1.一种采用肖特基势垒二极管的太赫兹宽带零偏检波芯片,其特征在于,包括介质基板和其下方的接地金属板,所述介质基板上的金属接地由贯穿介质基板的金属通孔与接地金属板连接实现,所述介质基板上从左到右依次是输入GSG结构、串联MIM电容、并联开路微带支节、低阻抗微带传输线、第一并联短路微带支节、第二并联短路微带支节、第一高阻抗连接微带线、肖特基势垒二极管、第二高阻抗连接微带线、并联接地MIM电容和输出GSG结构;其中所述输入GSG结构、串联MIM电容、并联开路微带支节、低阻抗微带传输线、第一高阻抗连接微带线、肖特基势垒二极管、第二高阻抗连接微带线、并联接地MIM电容和输出GSG结构顺序连接,所述低阻抗微带传输线分别与第一并联短路微带支节、第二并联短路微带支节连接;利用MMIC技术将低势垒肖特基势垒二极管直接生长在介质基片上与外围电路一体化加工;串联MIM电容2由MMIC技术实现,用于反射肖特基势垒二极管产生的直流信号,防止直流信号从输入端输出;并联接地MIM电容10由MMIC技术实现,通过两端对称的接地金属块进行接地,用于反射和隔离射频信号,使射频信号进入肖特基势垒二极管参与信号转换。
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