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申请/专利权人：中子科学研究院(重庆)有限公司
摘要：本实用新型涉及计数器结构技术领域，具体提供一种用于快中子测量的低效率长中子计数器结构，旨在解决现有的长中子计数器对几MeV范围内的中子的响应较高，不能满足超高源强如＞1010ns的D‑D、D‑T中子源的测量需求的问题。为此目的，本实用新型的长中子计数器结构包括长中子计数器外壳、中子吸收体、中子反射体和热中子探测器；中子吸收体设置于长中子计数器外壳的内部，中子反射体设置于长中子计数器外壳的内部、并和中子吸收体的底面相抵，热中子探测器插设于中子反射体的内部、并和中子吸收体的底面相抵。对10keV～20MeV范围内的中子有较低且平坦响应，满足覆盖高源强的D‑D、D‑T中子源测量需求。
主权项：1.一种用于快中子测量的低效率长中子计数器结构，其特征在于：所述计数器结构包括长中子计数器外壳、中子慢化体、中子吸收体、中子反射体和热中子探测器；所述中子吸收体设置于所述长中子计数器外壳的内部，所述中子慢化体设置于所述长中子计数器外壳的内部、并和所述中子吸收体底面相抵，所述中子反射体设置于所述中子慢化体的内部、并和所述中子吸收体的底面相抵，所述热中子探测器插设于所述中子反射体的内部、并和所述中子吸收体的底面相抵。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中子科学研究院(重庆)有限公司 用于快中子测量的低效率长中子计数器结构
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