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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明提出一种用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构及其控制方法，具体涉及于半导体材料制备技术领域,用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构包括反应腔和承载部，其中：承载部位于反应腔底部一侧，承载部表面用于承载衬底；反应腔顶部设有上盖，上盖为中空设置，上盖顶部设有第一进气口、第二进气口和第三进气口，下盖底部设有多个第一出气口，第一出气口与第一进气口和第三进气口连通，上盖底部还设有第一连接管，第一连接管顶部穿过下盖并对准第二进气口，第一连接管底部密封并对准靠近承载部上表面中心近处，本发明通过避免TMAl气体与其他气体在空气中接触，隔绝NH3气体与TMAl气体的预反应，从而避免生成ALN颗粒，能够降低位错并提高外延质量。
主权项：1.一种用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构，其特征在于，包括反应腔和承载部，其中：所述承载部位于所述反应腔底部一侧，所述承载部表面用于承载衬底；所述反应腔顶部设有上盖，所述上盖为中空设置，所述上盖顶部设有第一进气口、第二进气口和第三进气口，所述下盖底部设有多个第一出气口，所述第一出气口与所述第一进气口和第三进气口连通，所述上盖底部还设有第一连接管，所述第一连接管顶部穿过所述下盖并对准所述第二进气口，所述第一连接管底部密封并对准靠近所述承载部上表面中心近处，所述第一出气口位于所述第一连接管的四周，所述第一连接管的侧壁上设有第二出气口，TMAl气体通过第二进气口进入第一连接管内，并通过第二排气口排出，排出的TMAl气体从承载部上表面中心向四周扩散，并与第一出气口排出的其他反应气体，最后在衬底表面进行反应沉积。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种用于AlGaN外延MOCVD反应腔结构及其控制方法
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