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申请/专利权人：武汉钧恒科技有限公司
摘要：本发明涉及一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，在芯片N面镀金层下镀含有磁性材料的合金层；由共晶贴片机的预热台对陶瓷热沉预热，预热温度小于250℃;将预热陶瓷热沉转于共晶贴片机的加热台上，并由共晶贴片机吸嘴吸附芯片，然后开启加热台，温度为260℃～270℃，吸嘴下压以让芯片与陶瓷热沉上处于软化状态的金锡焊料粘接，持续时间2～4s;将其转入氮气箱内的程控加热台上，并向氮气箱内持续通入氮气以排空空气，开启强磁场，强磁场将让芯片的合金层产生向下的吸力，以挤压金锡焊料，开始在25～320℃温度范围内阶梯升温降温以完成共晶。有益效果为：提升共晶贴片机产出率，节省氮气以及提高共晶质量和良率。
主权项：1.一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，其特征在于，包括如下步骤：STEP1、在芯片（1）N面镀金层下镀含有磁性材料的合金层（2）；STEP2、由共晶贴片机的预热台（3）对陶瓷热沉（4）预热，预热温度小于250℃;STEP3、将预热陶瓷热沉（4）转于共晶贴片机的加热台（5）上，并由共晶贴片机吸嘴（6）吸附芯片（1），然后开启加热台（5），温度为260℃～270℃，吸嘴（6）下压以让芯片（1）与陶瓷热沉（4）上处于软化状态的金锡焊料粘接，持续时间2s～4s;STEP4、将多个STEP3中处于粘接状态的芯片及陶瓷热沉（4）转入氮气箱（8）内的程控加热台（7）上，并向氮气箱（8）内持续通入氮气以排空空气，开启强磁场（9），强磁场（9）将让芯片（1）的合金层（2）产生向下的吸力，以挤压金锡焊料，与此同时，开始在25℃～320℃温度范围内阶梯升温降温以完成共晶。
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百度查询： 武汉钧恒科技有限公司 一种用于硅光模块的大功率光源COC及硅光模块、共晶方法
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