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申请/专利权人：夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要：本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理液体往低处流，确保高温固化式尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
主权项：1.一种MicroLED尖锥状结构制备方法，包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构；所述半导体材料为QST01；所述S1包括：在石英基板上镀着TBDB材料；在所述TBDB材料上喷镀无定形碳层；在所述无定形碳层上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下；在所述尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层，所述S2包括：在所述半导体材料层上接合蓝宝石基板；加热TBDB材料至热脱黏温度，脱除TBDB材料及石英基板；在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料层和无定形碳层的中间体，此时在所述无定形碳层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构；所述S3包括：将所述中间体进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上；去除所述无定形碳层。
全文数据：
权利要求：
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