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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种改善半导体孔洞缺陷的方法及半导体器件的制造方法，属于半导体领域。该改善半导体孔洞缺陷的方法包括提供一半导体结构，提供一半导体结构；将半导体结构在第一设定温度下持续一定时间进行快速热退火处理；对快速热退火处理之后的半导体结构依次进行第一氮化钛层侧推和第一氮化钛层移除处理；将第一氮化钛层移除之后的半导体结构的源极和漏极沉积第二氮化硅层，并在沉积第二氮化硅层之后的源极、漏极，以及栅极依次沉积钛层和第二氮化钛层；将沉积第二氮化钛层之后的半导体结构在第二设定温度下进行尖峰退火处理。本发明通过在沉积氮化钛之前对半导体结构进行快速热退火处理，以在沉积钛层和第二氮化钛层之前释放半导体结构层中的氯离子，并且将沉积钛层和第二氮化钛层之后的半导体结构通过尖峰退火的方式处理，有效形成钛硅化合物，由于氯离子被提前释放，并且沉积的钛和氮化钛通过尖峰退火的方式转换为钛硅化合物，由于氯离子不会与氮化钛发生反应，从而能够避免半导体结构层出现孔洞缺陷。
主权项：1.一种改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，至少包括第一氮化钛层、第二氧化层、第一氮化硅层、第一氧化层、刻蚀终止层和衬底硅，所述刻蚀终止层覆盖在衬底硅的表面，所述第一氧化层覆盖在刻蚀终止层的表面，所述第一氮化硅层覆盖在第一氧化层的表面，所述第二氧化层覆盖在第一氮化硅层的表面，所述第一氮化钛层覆盖在第二氧化层的表面，所述半导体结构具有源极、漏极和栅极，所述漏极和源极分别位于所述栅极的两侧；将所述半导体结构在第一设定温度下持续一定时间进行快速热退火处理；对快速热退火处理之后的半导体结构依次进行第一氮化钛层侧推和第一氮化钛层移除处理；将第一氮化钛层移除之后的半导体结构的源极和漏极沉积第二氮化硅层，并在沉积第二氮化硅层之后的源极、漏极，以及栅极依次沉积钛层和第二氮化钛层；将沉积第二氮化钛层之后的半导体结构在第二设定温度下进行尖峰退火处理。
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