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申请/专利权人：北京大学

摘要：本发明公开一种可配置连接的尹辛机求解器，属于新型存储与计算技术领域。该尹辛机求解器包括FeFET忆阻器阵列和存储电容，阵列中两个并联连接的nFeFET，或并联连接的一nFeFET和一pFeFET，或两个并联连接的忆阻器组成一个相互作用系数J，利用FeFET铁电极化忆阻器高低阻态实现J的存储，存储电容用于存储并更新自旋σ的值，FeFET忆阻器结合σ的输入实现有符号乘法，利用FeFET忆阻器阵列实现哈密顿能力Hσ的乘累加计算。本发明可以实现可配置连接与原位多值扩展，提高存储密度和计算精度，且不需要额外的硬件开销。

主权项：1.一种可配置连接的尹辛机求解器，其特征在于，包括FeFET阵列和存储电容，FeFET阵列用于存储自旋σ的相互作用系数J，配置自旋的σ连接关系以及计算每个σ的哈密顿能量；其中每个J由两个nFeFET并联组成，将上述两个nFeFET的VOFF分别编程为VOFF_-1VOFF_+1或VOFF_+1VOFF_-1，表示J为-1或+1，FeFET阵列中每一列的nFeFET的栅极连接一存储电容，用于存储并更新σ，预充两存储电容到Vσ_-1Vσ_+1或Vσ_+1Vσ_-1，分别代表σ为-1或+1，每一列J共享一个σ，表示该σ对其他σ的作用系数，尹辛机求解器工作时，首先将由待求解问题抽象出来的J存储在FeFET阵列中，其在迭代求解过程中是保持不变，初始化一组解并预充σ，利用FeFET的三端结构进行J和σ的有符号乘法计算，计算结果由上述并联连接的两个nFeFET的漏电流之和表示，当计算结果为+1时，两个nFeFET均截止，两个nFeFET的漏电流之和较低；当计算结果为-1时，一个nFeFET导通为低阻态，一个nFeFET关断为高阻态，两个nFeFET的漏电流之和较高，每一行并联连接的nFeFET的漏电流之和表示所有σ对该σ的作用累计结果，即Hσ，通过将上述并联连接的两个nFeFET全部编程为VOFF_-1，表示J为M状态，其对于σ为+1和-1，均为低电流，表示σ之间没有相互作用，通过将相应的J编程为M状态，配置任意σ连接关系，在每次迭代过程中，根据每个σ的连接度以及Hσ的计算结果更新σ，使得Hσ减小，最后得到一组σ优化解。

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权利要求：

百度查询： 北京大学 一种可配置连接的尹辛机求解器