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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及闪存编程条件智能调节设定方法。该方法包括：确定栅耦合工艺参数，所述栅耦合工艺参数具有栅耦合工艺参数区间；基于栅耦合工艺参数与闪存的编程能力的关联程度，将所述耦合工艺参数区间划分为强编程工艺参数区间和弱编程工艺参数区间；确定补偿编程参数，所述补偿编程参数具有补偿编程参数区间；基于所述补偿编程参数对闪存编程能力的补偿程度，将所述补偿编程参数区间划分为强补偿编程参数区间和弱补偿编程参数区间；使得所述强编程工艺参数区间对应所述弱补偿编程参数区间，所述弱编程工艺参数区间对应所述强补偿编程参数区间。本申请实现对编程条件的智能调节，能够更好地覆盖工艺波动的影响，提升工艺窗口。
主权项：1.一种闪存编程条件智能调节设定方法，其特征在于，所述闪存编程条件智能调节设定方法包括以下步骤：S1：确定闪存制造工艺中影响闪存的控制栅对浮栅耦合率的栅耦合工艺参数，所述栅耦合工艺参数具有栅耦合工艺参数区间；S2：基于栅耦合工艺参数与闪存的编程能力的关联程度，将所述耦合工艺参数区间划分为强编程工艺参数区间和弱编程工艺参数区间；S3：确定在编程操作时能够补偿闪存编程能力的编程参数为补偿编程参数，所述补偿编程参数具有补偿编程参数区间；基于所述补偿编程参数对闪存编程能力的补偿程度，将所述补偿编程参数区间划分为强补偿编程参数区间和弱补偿编程参数区间；S4：建立所述栅耦合工艺参数区间与所述补偿编程参数区间之间的映射关系，使得所述强编程工艺参数区间对应所述弱补偿编程参数区间，所述弱编程工艺参数区间对应所述强补偿编程参数区间；S5：确定实际栅耦合工艺参数X所属的栅耦合工艺参数区间，设定在所述映射关系中对应所述栅耦合工艺参数区间的补偿编程参数区间为闪存编程条件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 闪存编程条件智能调节设定方法
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