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申请/专利权人：中国人民解放军陆军军医大学
摘要：一种用于检测弥漫性脑缺血的独立对称型天线，包括两个倒F天线；两个倒F天线绕中心轴对称分布；所述倒F天线包括金属辐射层、介质层、金属接地层；本发明提出一种基于近场耦合原理的检测方法。近场耦合侧重于电磁波与生物体表面和内部组织的耦合效应，其发射信号的振幅偏移与整个大脑的电导率和介电常数有关，具有无创、穿透力强、实时连续监测等优点。本发明通过利用倒F结构，显著性增加了天线的单向辐射能力与增益效果，满足了对脑卒中疾病检测的基本要求。本发明采用对称结构与对称馈电方式，保证了在天线检测频带内对大脑左右两侧进行独立探测的稳定性。本发明天线结构紧凑，制作流程简单，成本低，在医学检测领域具有较大的应用价值。本发明提供的天线能够独立发射两路电磁波分别探测大脑左右两侧，且两路电磁波互不影响进行弥漫性脑缺血的检测。本发明提供的天线可以有效检测弥漫性脑缺血，并能够区分临床脑出血的良好功能。
主权项：1.一种用于检测弥漫性脑缺血的独立对称型天线，其特征在于，包括两个倒F天线；两个倒F天线绕中心轴对称分布；所述倒F天线包括金属辐射层400、介质层、金属接地层300；所述金属辐射层400的结构是由金属板I、金属板II、金属板III组成的U形结构；所述金属接地层300为矩形板；所述金属辐射层400位于金属接地层300下方，且金属辐射层400的金属板I平行于金属接地层300放置。所述金属辐射层400的金属板II位于远离中心轴的一侧，且金属辐射层400的金属板I远离金属板II的一侧与金属接地层300相连；所述金属接地层300上设有馈电端口200，且馈电端口200的位置对应于金属辐射层400的金属板II处；所述馈电端口200用于信号馈入；所述介质层位于金属接地层300和金属辐射层400之间。所述金属辐射层400与金属接地层300连接形成短路，进而产生共振效应，使得倒F天线收发电磁波；两个倒F天线对称分布，进而实现在天线检测频带内对大脑左右两侧的独立探测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军陆军军医大学 一种用于检测弥漫性脑缺血的独立对称型天线
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