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申请/专利权人：华芯程(杭州)科技有限公司

摘要：本申请公开了一种光学邻近校正模型的建模方法、使用方法及相关装置，属于光刻技术领域。本申请在光学邻近模型建模时收集多个不同图案在不同曝光剂量下的关键尺寸量测值，并以此得到每个图案的图像斜率。在优化模型参数时将仿真和量测的图像斜率值的差别加入目标函数。将量测的光刻后图像斜率引入建模的目标函数，使得模型既可以准确的预测光刻后图案轮廓，又可以准确地预测光刻后图像斜率信息，保证了光学邻近校正模型在各种应用场景下的精确度。

主权项：1.一种光学邻近校正模型的建模方法，其特征在于，包括：利用测试掩膜对晶片进行曝光，得到光刻后晶片；在对所述晶片曝光时，使用至少包括名义曝光剂量的多种曝光剂量；从所述测试掩膜的图案中选取光学邻近校正模型建模所需的建模图案集；所述建模图案集包括多个建模图案；使用扫描电子显微镜量测所述光刻后晶片，获取光刻后每个所述建模图案在每种所述曝光剂量下的关键尺寸量测值；根据每个所述建模图案在每种所述曝光剂量下的所述关键尺寸量测值，线性拟合得到每个所述建模图案的曝光剂量斜率；根据每个所述建模图案的所述曝光剂量斜率，得到每个所述建模图案的归一化图像对数斜率量测值；建立光学模型，并根据所述光学模型得到每个所述建模图案的光学图像；根据所述光学图像建立光刻胶模型，并根据所述光刻胶模型得到每个所述建模图案的光刻胶图像；初始化所述光刻胶模型中每项的子光刻胶图像的参数；所述光刻胶模型包括多个光刻胶模型项，每项所述光刻胶模型项均包括所述子光刻胶图像和线性系数；根据每项的所述子光刻胶图像的参数和所述光学图像，得到每项的所述子光刻胶图像；根据第一目标函数优化所述光刻胶模型中每项的所述线性系数和阈值；所述第一目标函数是根据每个所述建模图案在所述名义曝光剂量下的所述关键尺寸量测值与关键尺寸仿真值的偏差确定的；所述关键尺寸仿真值是基于当前的所述光刻胶图像得到的；根据优化后的每项的所述线性系数和所述阈值，以及当前每项的所述子光刻胶图像，得到每个所述建模图案优化后的所述光刻胶图像；并根据优化后的所述光刻胶图像得到每个所述建模图案的归一化图像对数斜率仿真值；根据所述第一目标函数和每个所述建模图案的所述归一化图像对数斜率量测值与所述归一化图像对数斜率仿真值的偏差，得到第二目标函数；根据所述第二目标函数和优化引擎，得到优化后的每项的所述子光刻胶图像的参数；当检测到未满足预设条件时，将优化后的每项的所述子光刻胶图像的参数作为下一次迭代时的每项的所述子光刻胶图像的参数，返回所述根据每项的所述子光刻胶图像的参数和所述光学图像，得到每项的所述子光刻胶图像的步骤，直至满足所述预设条件后，得到目标光学邻近校正模型。

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