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申请/专利权人：天津理工大学

摘要：本发明公开了一种紫外‑可见光‑短波红外三波段光电探测器及其制备方法，本发明的探测器的非故意掺杂InGaAs吸收层中In组分为53％，其室温荧光PL波长大于1550nm，对于短波红外光十分敏感，可以有效探测到短波红外光。本发明能够共用检测电极不会影响电流的正常流动，从而实现共用光入射窗口和检测电极，在成本、集成度和焦平面拓展等方面具有更高的商用价值。

主权项：1.一种紫外-可见光-短波红外三波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用MOCVD或者MBE的沉积方式在N型InP衬底上依次生长N型InP缓冲层、N型InGaAs腐蚀截止层、N型InP窗口层、非故意掺杂InGaAs吸收层和N型InP盖层；步骤二：利用PECVD的淀积方式在所述N型InP盖层的上表面沉积SiN薄膜；步骤三：利用光刻胶在所述SiN薄膜的表面形成Zn扩散窗口图形，利用刻蚀的方法去除Zn扩散窗口图形上的所述SiN薄膜，以使下方的所述N型InP盖层暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，形成Zn扩散窗口；步骤四：利用MOCVD或者炉管法在所述Zn扩散窗口区域进行Zn扩散，形成P型Zn扩散区域，其中，P型Zn扩散区域自上而下依次从N型InP盖层到非故意掺杂InGaAs吸收层内，在非故意掺杂InGaAs吸收层的深度为0.1～0.5μm；步骤五：利用电子束蒸镀或者磁控溅射的方法在在所有裸露在外的上表面上蒸镀金属，退火，得到P金属电极，其上表面的接触为欧姆接触；步骤六：将所述N型InP衬底减薄并在背面进行抛光；步骤七：在所述P金属电极的上表面涂抹导电胶，将表面导电的基板通过导电胶键合到P金属电极上，以使表面导电的基板通过导电胶与P金属电极形成良好的导电接触；步骤八：将所述N型InP衬底再次减薄；步骤九：利用选择性湿法腐蚀的方法，将N型InP缓冲层和剩余的N型InP衬底全部腐蚀掉，腐蚀停止在N型InGaAs腐蚀截止层的下表面；步骤十：利用选择性湿法腐蚀的方法，将N型InGaAs腐蚀截止层全部腐蚀掉，腐蚀停止在N型InP窗口层的下表面；步骤十一：利用磁控溅射的方法在所述N型InP窗口层的下表面淀积GaO薄膜；步骤十二：利用PECVD、磁控溅射、电子束蒸发或热蒸发的方法在所述GaO薄膜的下表面淀积多层减反膜；步骤十三：利用光刻胶在最外层减反膜的下表面形成VIA孔洞图形，利用刻蚀的方法去除VIA孔洞图形上方的多层减反膜，以使GaO薄膜暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，在GaO薄膜表面形成金属接触，得到VIA孔洞；步骤十四：利用光刻胶在所述VIA孔洞上形成N金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射蒸镀金属并进行金属剥离、退火，得到N金属电极，N金属电极与GaO薄膜表面的接触为欧姆接触。

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