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申请/专利权人：辽宁科技大学
摘要：本发明涉及薄膜制备领域，具体是一种利用PECVD技术在球墨铸铁表面实现低温制备DLC薄膜的方法，主要是利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在球墨铸铁表面实现低温制备类金刚石（DLC）薄膜的方法。利用PECVD装置，使用乙炔作为主要碳源，通过改变氩气和乙炔的流量比（FArFC2H2）以及四甲基硅烷的流量、沉积时间、沉积偏压及压强，在球墨铸铁表面制备含有硅过渡层的超厚DLC薄膜。此方法制膜工艺简单，并可实现低温下制膜。在保证球墨铸铁自身强度的同时提高了球墨铸铁表面的耐磨性及耐蚀性，并且DLC薄膜与球墨铸铁基体结合良好，可以为球墨铸铁表面改性工艺提供重要的参考依据。
主权项：1.一种利用PECVD技术在球墨铸铁表面实现低温制备DLC薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）进行镀膜前预处理，对镀膜前样品分别进行外部清洗和内部清洗两个步骤；（2）采用矩形框架的金属网笼作为试样的载物台，每次镀膜前，网笼表面需进行喷砂清理；（3）采用规则块状的球墨铸铁作为基体材料进行镀膜；（4）使用等离子体增强化学气相沉积设备制备过渡层；（5）使用等离子体增强化学气相沉积设备制备DLC薄膜。
全文数据：
权利要求：
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