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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用，涉及有机高分子功能材料和储能电容器技术领域。本发明聚脲薄膜制备方法，采用二次真空干燥，第一次程序升温至120～140℃下加热24～96h，有效脱除大部分溶剂；薄膜在去离子水中浸泡24～48h，最后在真空烘箱中，程序升温至80～100℃并保温24～72h，彻底除去水和残留的溶剂。本发明的聚脲薄膜制备方法，有利于形成致密薄膜，提高击穿场强和储能密度。本发明可获得高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用。
主权项：1.高介电储能聚脲薄膜，其特征在于所述的高介电储能聚脲薄膜的化学结构式如下所示： 上式中，X为CH3、Cl或NO2，R为m：n为0.1～1：1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 高介电储能聚脲薄膜及其制备方法和应用
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