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申请/专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司;北京理工大学深圳汽车研究院(电动车辆国家工程实验室深圳研究院)
摘要：本发明提供了一种大容量IGCT器件分级控制电路及控制方法，包括分压电路和n个并联的控制电路，所述分压电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、控制参数电阻和n个基准分压电阻，所述控制电路包括运算放大器和MOS管，所述控制电路的输入端连接分压电路，所述控制电路的输出端连接对应的控制开关；所述第二分压电阻的另一端依次串联n个基准分压电阻，且n个基准分压电阻靠近第二分压电阻的一端分别连接运算放大器的正反馈输入端；所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极。本申请无需软件控制，且控制电路简单，能够通过控制参数电阻的阻值变化，实现对于控制开关的分级控制，提高了控制效率和精准度。
主权项：1.一种大容量IGCT器件分级控制电路，其特征在于，包括分压电路和n个并联的控制电路，所述分压电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、控制参数电阻和n个基准分压电阻，所述控制电路包括运算放大器和MOS管，所述控制电路的输入端连接分压电路，所述控制电路的输出端连接对应的控制开关；n为大于1的整数；所述第一分压电阻和第二分压电阻的一端连接第一电源，所述第一分压电阻的另一端同时连接n个运算放大器的负反馈输入端以及控制参数电阻的一端，所述控制参数电阻的另一端接地；所述第二分压电阻的另一端依次串联n个基准分压电阻，且n个基准分压电阻靠近第二分压电阻的一端分别连接运算放大器的正反馈输入端；所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极，所述MOS管的漏极连接上一个控制电路中MOS管的源极，所述分级控制电路中第一个控制电路的MOS管的漏极连接第二电源，所述分级控制电路中第n个控制电路的MOS管的源极接地，所述MOS管的源极连接对应的控制开关。
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权利要求：
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