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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种存储器结构、存储器及存储器结构的制备方法，存储器结构包括：提供一基底，基底包括第一介质层以及形成于第一介质层内的栅极结构和多个第一导电结构；形成覆盖第一介质层和第一导电结构的第二介质层；于第二介质层内形成电极结构，并于电极结构内形成通孔，通孔两侧分别形成第一电极和第二电极，第一电极与第一导电结构相连通；于第二介质层的表面形成多个存储结构；形成第三介质层，于第三介质层中形成多个第二导电结构，第二导电结构的第一端连通第二电极；于第三介质层的表面形成多个金属结构，各个金属结构连通相邻的两个第二导电结构的第二端。本申请提升了存储器结构的性能。
主权项：1.一种存储器结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括第一介质层以及形成于所述第一介质层内的栅极结构和多个第一导电结构；形成覆盖所述第一介质层和所述第一导电结构的第二介质层；于所述第二介质层内形成电极结构，并于所述电极结构内形成通孔，所述通孔两侧的电极结构分别形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电结构相连通；于所述第二介质层的表面形成多个存储结构，所述存储结构填充所述电极结构的通孔并部分覆盖所述第二介质层；形成覆盖所述第二介质层和所述存储结构的第三介质层，于所述第三介质层中形成多个第二导电结构，所述第二导电结构的第一端连通所述第二电极；于所述第三介质层的表面形成多个金属结构，所述金属结构连通所述第二导电结构的第二端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 存储器结构、存储器及存储器结构的制备方法
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