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一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器 

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申请/专利权人:南京大学

摘要:本发明公开了一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器,属于半导体技术领域。通过改变背面深槽隔离介质的形状、表面掺杂及生长工艺等,形成不同深度下不同缺陷密度的深沟槽隔离介质,通过控制不同工艺的种类,制作所需通道数的多光谱探测器。再通过多光谱数据的解耦还原算法,插值补全像素的多通道数据,获得完整的多通道图像。本发明通过改造背面深槽隔离技术的使用方法,解决了单探测器获取多光谱数据分辨率严重降低的问题,达到了单探测器可获得N个通道光谱数据且基本不损失分辨率的效果。

主权项:1.一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器,包含多个独立的复合介质栅探测器单元,其特征在于,每个探测器单元包含:衬底,以及形成在同一衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管,其中,复合介质栅MOS电容实现探测器的感光功能,并通过复合介质栅晶体管完成读出;深槽隔离结构,形成于所述衬底内部,且处于探测器单元衬底的四周,将该探测器单元衬底包裹并与相邻其他探测器单元隔离;载流子调控层,位于深槽隔离结构的表面,通过内部包含的半导体晶格缺陷对与该缺陷处于相同深度的衬底内的光生载流子进行俘获与复合,以实现对不同波长的光信号的调制作用,每个探测器单元的载流子调控层被设置为在不同深度上对不同的光生载流子俘获与复合能力不完全相同且存在一定随机性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京大学 一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器

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