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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种氧化层的击穿检测结构，属于半导体检测技术领域，该氧化层的击穿检测结构，包括第一金属层，包括第一梳状部和第一共接部，所述第一梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第一互连结构与所述第一共接部的一端相连；第二金属层，包括第二梳状部和第二共接部，所述第二梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第二互连结构与所述第二共接部的一端相连；其中，所述第一共接部的另一端用于和供电源的阴极相连，所述第二共接部的另一端用于和供电源的阳极相连，且所述第一互连结构和所述第二互连结构均会在一定电流强度下熔断。通过在金属层上设置互连结构，既可以保证正常氧化层电压应力施加时的测试正常进行，又可以在到达耐压极限或者耐压时间极限时，在击穿电流急速增加时，使得互连结构熔断形成断路，从而在氧化层测试发生击穿时避免因电流过大。
主权项：1.一种氧化层的击穿检测结构，其特征在于，包括：第一金属层，包括第一梳状部和第一共接部，所述第一梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第一互连结构与所述第一共接部的一端相连；第二金属层，包括第二梳状部和第二共接部，所述第二梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第二互连结构与所述第二共接部的一端相连；其中，所述第一共接部的另一端用于和供电源的阴极相连，所述第二共接部的另一端用于和供电源的阳极相连，且所述第一互连结构和所述第二互连结构均会在一定电流强度下熔断。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 氧化层的击穿检测结构
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