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申请/专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司;北京凯世通半导体有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司
摘要：本专利申请公开了离子注入设备的打火侦测及离子束快速关断装置及方法。根据本申请的一种离子注入设备的打火侦测和束流关断装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述打火侦测和束流关断装置包括：常闭的高压开关220，用于串联在所述离子源引出电极和所述引出电源之间；高压开关控制装置210，所述高压开关控制装置从离子束电流采集装置获得束流大小的信息，并基于束流大小信息判断是否发生打火。
主权项：1.一种离子注入设备的打火侦测和束流关断装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述打火侦测和束流关断装置包括：常闭的高压开关220，用于串联在所述离子源引出电极和所述引出电源之间；高压开关控制装置210，所述高压开关控制装置从离子束电流采集装置获得束流大小的信息，并基于束流大小信息判断是否发生打火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海凯世通半导体股份有限公司 北京凯世通半导体有限公司 上海临港凯世通半导体有限公司 离子注入设备的打火侦测及离子束快速关断装置及方法
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