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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅沟槽双栅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的下侧面形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面形成漂移层；在漂移层上方形成栅介质刻蚀区；对栅介质刻蚀区进行干氧氧化，形成栅介质层；去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，进行金属淀积，形成第二栅极；对漂移层进行离子注入，形成阱区；对阱区进行离子注入，形成源区；进行金属淀积，形成源极金属层；对栅介质层以及第二栅极刻蚀形成栅极区域，进行金属淀积，形成第一栅极，清除阻挡层；所述第二栅极左侧到达漂移层右侧距离是所述第一栅极左侧到达阱区右侧距离的n倍，所述n为5至10，能有效降低器件漂移层电阻，进而降低器件导通电阻。
主权项：1.一种碳化硅沟槽双栅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，并通过通孔对漂移层进行刻蚀，形成栅介质刻蚀区；步骤3、对栅介质刻蚀区进行干氧氧化，形成栅介质层；步骤4、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，进行金属淀积，形成第二栅极；步骤5、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤6、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对阱区进行离子注入，形成源区；步骤7、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，进行金属淀积，形成源极金属层；步骤8、去除阻挡层，重新淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔对栅介质层以及第二栅极刻蚀形成栅极区域，进行金属淀积，形成第一栅极，清除阻挡层；所述第二栅极左侧到达漂移层右侧距离是所述第一栅极左侧到达阱区右侧距离的n倍，所述n为5至10。
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