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申请/专利权人:电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要:本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元,包括:从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管;晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成;其中沟道区设置在SOI层上表面的中心区域,沟道区的两侧分别设置漂移区,在两个漂移区的外侧分别设置源区和漏区,在源区和漏区的外侧均设置硅单晶半导体区,沟道区顶部依次设置栅极氧化层和多晶硅电极;本发明基于SOI工艺在源区和漏区增加漂移区,抑制短沟道效应,进而可以提高IC集成度,节约芯片面积。
主权项:1.一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元,其特征在于,包括:从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管;晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成;其中沟道区设置在SOI层上表面的中心区域,沟道区的两侧分别设置漂移区,在两个漂移区的外侧分别设置源区和漏区,在源区和漏区的外侧均设置硅单晶半导体区,沟道区顶部依次设置栅极氧化层和多晶硅电极。
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权利要求:
百度查询: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元
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