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申请/专利权人：南京低功耗芯片技术研究院有限公司

摘要：本发明公开了一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，包含PVT追踪模块和阵列刷新模块；PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压。本发明用一串连接的MOS管对电源电压进行分压，以多个分压点处的电压值作为参考值，给数据保持的复制单元进行供电，从而追踪不同PVT条件下合适的翻转点电压；同时，阵列采用交替的供电方式，使其在睡眠状态下能够在极低保持电压下尽心数据保持，从而带来更低的阵列漏电。

主权项：1.一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，其特征在于，包含PVT追踪模块1和阵列刷新模块2；所述PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；所述阵列刷新模块，用于根据PVT追踪模块的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压；所述PVT追踪模块包括若干MOS管、若干复制单元、翻转检测电路和输出驱动模块；所述PVT追踪模块包含第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5；第一复制单元1、第二复制单元2、第三复制单元3、第四复制单元4、第五复制单元5、第六复制单元6、第七复制单元7、第八复制单元8、第九复制单元9；翻转检测电路、输出驱动模块；其中，第一PMOS管P1的源极接在电源VDD上；第一PMOS管P1的栅极分别和第一PMOS管P1的漏极、第一NMOS管N1的漏极、第一NMOS管N1的栅极、第一复制单元1的源端Vdda1相连；第一NMOS管N1的源极分别和第二PMOS管P2的源极、第二复制单元2的源端Vdda2相连；第二PMOS管P2的栅极分别和第二PMOS管P2的漏极、第二NMOS管N2的漏极、第二NMOS管N2的栅极、第三复制单元3的源端Vdda3相连；第二NMOS管N2的源极分别和第三PMOS管P3的源极、第四复制单元4的源端Vdda4相连；第三PMOS管P3的栅极分别和第三PMOS管P3的漏极、第三NMOS管N3的漏极、第三NMOS管N3的栅极、第五复制单元5的源端Vdda5相连；第三NMOS管N3的源极分别和第四PMOS管P4的源极、第六复制单元6源端Vdda6相连；第四PMOS管P4的栅极分别和第四PMOS管P4的漏极、第四NMOS管N4的漏极、第四NMOS管N4的栅极、第七复制单元7的源端Vdda7相连；第四NMOS管N4源极分别和第五PMOS管P5的源极、第八复制单元8源端Vdda8相连；第五PMOS管P5的栅极分别和第五PMOS管P5的漏极、第五NMOS管N5的漏极、第五NMOS管N5的栅极、第九复制单元9的源端Vdda9相连；第五NMOS管N5的源极接在地线上；翻转检测电路的输入端IN分别和第一复制单元1的输出端OUT1、第二复制单元2的输出端OUT2、第三复制单元3的输出端OUT3、第四复制单元4的输出端OUT4、第五复制单元5的输出端OUT5、第六复制单元6的输出端OUT6、第七复制单元7的输出端OUT7、第八复制单元8的输出端OUT8、第九复制单元9的输出端OUT9相连；翻转检测电路的输出端Fail接在输出驱动模块的检测端Detect，输出驱动模块的参考电压输出端Vref接在SRAM存储阵列的供电端Vddarray。

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