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申请/专利权人：重庆理工大学
摘要：本发明公开了一种ReS21‑xSe2x肖特基结型光电探测器的制作方法，包括在覆盖有ReS21‑xSe2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底上使用蒸镀方法蒸镀银电极层。其中ReS21‑xSe2x纳米多孔薄膜的厚度为0.7～100nm，银电极层的厚度为50～100nm；另外在P型硅晶衬底蒸镀时，将P型硅晶衬底放置在叉指电极掩膜板上，通过物理气相沉积装置在10‑4～10‑5Torr低真空条件下以的速率进行蒸镀。本发明还公开了一种由ReS21‑xSe2x肖特基结型光电探测器的制作方法制作出的探测器。
主权项：1.一种ReS21-xSe2x肖特基结型光电探测器的制作方法，其特征在于：包括在覆盖有ReS21-xSe2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底上使用蒸镀方法蒸镀银电极层；覆盖有ReS21-xSe2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底由以下方法制得：1获取P型硅晶衬底，对P型硅晶衬底的表面进行清洗干净；2获取升华硫粉，放置在加热炉的第一温区的位置，获取铼粉和碲粉，并按照1∶2～1∶4的比例混合均匀，并放置在加热炉的第二温区的位置，将P型硅晶衬底置于在铼粉和碲粉的混合物上方，并且使P型硅晶衬底的SiO2层面朝向铼粉和碲粉的混合物方向；3加热炉的第二温区以14～16℃min的升温速率加热到590～610℃，同时加热炉的第一温区升温到200～220℃，在惰性气体的气氛下，持续加热使得P型硅晶衬底的SiO2层面生长出ReS2，将生长有ReS2的P型硅晶衬底冷却至室温；4对加热炉进行清洁处理，获取硒粉，放置在加热炉的第一温区，然后将生长有ReS2的P型硅晶衬底放置在加热炉的第二温区，P型硅晶衬底的ReS2层面朝上设置；5加热炉的第一温区加热至850～870℃，同时加热炉的第二温区加热至280～300℃，并且在氢气浓度为4～6％的惰性气体气氛下加热，直至P型硅晶衬底的SiO2层面生长出ReS21-xSe2x纳米多孔薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆理工大学 ReS2(1-x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法及探测器
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