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申请/专利权人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司

摘要：本发明涉及线性稳压电路技术领域，具体说是一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路。它的特点是包括输入端VIN、电流镜一、电流镜二和输出端VOUT。输入端VIN与电流镜一和电流镜二适配连接。电流镜一的电流输入支路通过MOS管N2的漏极和源极后通过调整器件接地，电流镜一的电流输出支路通过MOS管N3的漏极和源极后与通过所述调整器件接地。电流镜二的电流输入支路通过MOS管N1的漏极和源极后与接地，电流镜二的电流输出支路与所述输出端VOUT相连。MOS管N2为耗尽型MOS管，其栅极接地。MOS管N3的漏极与MOS管N1的栅极相连，且MOS管N3的漏极通过补偿器件接地。输出端VOUT通过反馈电路形成FB信号，FB信号与MOS管N3的栅极相连。该电路的结构简单，可移植性较好，功耗较低。

主权项：1.一种基于耗尽型MOS管的低功耗LDO电路，其特征在于，包括输入端VIN、电流镜一、电流镜二和输出端VOUT；所述输入端VIN与电流镜一和电流镜二适配连接，用于为电流镜一和电流镜二提供工作电压；所述电流镜一的电流输入支路通过MOS管N2的漏极和源极后通过调整器件接地，电流镜一的电流输出支路通过MOS管N3的漏极和源极后与通过所述调整器件接地；所述电流镜二的电流输入支路通过MOS管N1的漏极和源极后接地，电流镜二的电流输出支路与所述输出端VOUT相连；所述MOS管N2为耗尽型MOS管，其栅极接地；所述MOS管N3的漏极与MOS管N1的栅极相连，且MOS管N3的漏极通过补偿器件接地；所述输出端VOUT通过反馈电路形成FB信号，FB信号与MOS管N3的栅极相连；所述调整器件为电阻R1，MOS管N2和MOS管N3的源极与电阻R1的同一端相连，电阻R1的另一端接地；所述电流镜二含有MOS管P3和MOS管P4，MOS管P3和MOS管P4的源极均与所述输入端VIN相连，MOS管P3的栅极和MOS管P4的栅极相连，MOS管P3的栅极与MOS管P3的漏极相连，MOS管P3所在的支路为电流镜二的输入支路，MOS管P4所在的支路为电流镜二的输出支路；所述MOS管P3的漏极与MOS管N1的漏极相连，所述MOS管P4的漏极与所述输出端VOUT相连；所述补偿器件为电阻R2和电容C1，所述MOS管N3的漏极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与电容C1的一端相连，电容C1的另一端接地；所述反馈电路含有电阻R3和电阻R4，所述输出端VOUT与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别与所述MOS管N3的栅极和电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端接地；所述电阻R3的两端并联有电容C2。

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