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一种基于RRAM的高密度数模混合存算阵列 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明涉及一种基于RRAM的高密度数模混合存算阵列,本发明引入了电容元素,构建了一种先进的1T1R1C存算一体阵列架构,通过结合RRAM和电容,以实现对权重的动态调整,来更准确地模拟神经网络中连接权重的动态变化。此架构不仅降低了电路复杂度,提高了灵活性,还可以复用作为逐次逼近型ADC,将输出电压直接转换为数字信号,无需额外的ADC器件。相较于传统架构,本发明具有集成度高、计算速度快、面积小、功耗低等优点,可用于神经形态芯片,特别用于对能耗要求较高的边缘计算设备中。

主权项:1.一种基于RRAM的高密度数模混合存算阵列,其特征在于,包括权重存储模块、电荷重分配模块和模数转换模块,原始数据输入所述权重存储模块,权重存储模块输出电压信号向量,电荷重分配模块接收所述电压信号向量,输出模拟电压信号,所述电荷重分配模块接收所述模拟电压信号,输出乘累加数字编码结果;所述电荷重分配模块由n列m行共n×m个相同容值的电容按阵列排布组成;所述权重存储模块包括n×m个RRAM和n×m个场效应管,且所述权重存储模块复用电荷重分配模块的电容,所述权重存储模块以1T1R1C结构为一个基础单元,共由n×m个基础单元组成,1T1R1C结构由一个场效应管、一个RRAM和一个电容组成,场效应管的源端与RRAM的顶电极端相连,场效应管的栅端连接BLW控制线;场效应管的漏端连接WL控制线,RRAM的底电极端连接SL控制线;所述电容的输入端与场效应管的源端相连,同一列所述电容的输出端相连并形成BLR控制线;所述模数转换模块复用电荷重分配模块的第t列的2t-1个电容,其中,2n-1<m;所述模数转换模块包括一个比较器和一个D触发器,n条BLR控制线连接后与比较器的正向输入端相连,所述比较器的反向输入端接地信号,所述D触发器的D端与所述比较器的输出端相连,所述D触发器的CLK端连接时钟信号,所述D触发器的Q端输出乘累加数字编码结果。

全文数据:

权利要求:

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