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申请/专利权人：牛芯半导体(深圳)有限公司

摘要：本申请提供了一种带隙基准电路，包括带隙基准主体电路和带隙基准控制电路，带隙基准主体电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的源极连接电源，第二PMOS管的源极连接电源，第二PMOS管的栅极连接第一PMOS管的栅极作为检测点，带隙基准控制电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和调节单元，第三PMOS管的源极连接电源，第三PMOS管的栅极连接检测点，第四PMOS管的源极连接第三PMOS管的漏极，第四PMOS管的栅极连接第一使能信号，若检测点的电压为高电平，第一NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极连接检测点，调节单元的输入端连接第四PMOS管的源极，调节单元的输出端连接检测点，调节单元的输入端接入低电平，调节单元的输出为低电平，检测点的电平变低。

主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准主体电路和连接所述带隙基准主体电路的带隙基准控制电路，所述带隙基准主体电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接电源；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极连接所述电源，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极作为所述带隙基准主体电路的检测点；所述带隙基准控制电路包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接电源，所述第三PMOS管的栅极连接所述检测点；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的栅极连接第一使能信号，若所述检测点的电压为高电平，则所述第一使能信号为低电平；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极连接所述检测点，所述第一NMOS管的源极接地；调节单元，包括第五PMOS管和第一运算放大器，所述调节单元的输入端连接所述第四PMOS管的源极，所述调节单元的输出端连接所述检测点，当所述调节单元的输入端接入低电平时，所述调节单元的输出为低电平；所述第五PMOS管的源极连接所述电源，所述第五PMOS管的栅极作为所述调节单元的输入端连接所述第四PMOS管的源极；所述第一运算放大器的第一输入端连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一运算放大器的第二输入端连接所述第二PMOS管的漏极，所述第一运算放大器的输出端连接所述检测点；电路关断单元，所述电路关断单元的输入端连接所述电源，所述电路关断单元的控制端连接第二使能信号，所述电路关断单元的输出端连接所述检测点，所述第二使能信号控制所述电路关断单元的工作或关断；所述电路关断单元包括：第六PMOS管，所述第六PMOS管的源极作为所述电路关断单元的输入端连接所述电源，所述第六PMOS管的栅极作为所述电路关断单元的控制端连接所述第二使能信号，所述第四PMOS管的漏极作为所述电路关断单元的输出端连接所述检测点。

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