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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种电阻式存储器元件及其制作方法，其中该电阻式存储器元件包含：一基底；一介电层，设置于该基底上；一导电通孔，设置于该介电层中；以及一存储堆叠结构，设置于该导电通孔与该介电层上，其中，该存储堆叠结构包含一底电极层、位于该底电极层上的一电阻切换层，以及位于该电阻切换层上的一顶电极层，其中，该顶电极层包含至少两个物理上分离的子电极部分。
主权项：1.一种电阻式存储器元件，包含：基底；介电层，设置于该基底上；导电通孔，设置于该介电层中；以及存储堆叠结构，设置于该导电通孔与该介电层上，其中，该存储堆叠结构包含底电极层、位于该底电极层上的电阻切换层，以及位于该电阻切换层上的顶电极层，其中，该顶电极层包含至少两个物理上分离的子电极部分。
全文数据：
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百度查询： 联华电子股份有限公司 电阻式存储器元件及其制作方法
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