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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种双沟道半包结构UMOSFET器件，包括：N+衬底、n‑漂移区、电流传输层、沟道区、n+源区、栅氧化层、栅电极、夹层氧化层、半包结构、源电极和漏电极，其中，N+衬底、n‑漂移区、电流传输层、沟道区、n+源区依次层叠，且具有从n+源区表面延伸至电流传输层内部的栅沟槽；栅氧化层覆盖栅沟槽的底部和侧壁，且形成凹槽结构；栅电极位于凹槽结构中；夹层氧化层覆盖栅电极、栅氧化层和部分n+源区；半包结构从n+源区的表面延伸至电流传输层的内部，且包围栅氧化层的一个侧面和部分底面；源电极位于n+源区、夹层氧化层和半包结构的表面；漏电极位于N+衬底远离n‑漂移区的表面。该器件保护了栅氧化层，同时拥有良好的电流导通能力。
主权项：1.一种双沟道半包结构UMOSFET器件，其特征在于，包括若干相邻设置的元胞结构，每个所述元胞结构均包括：N+衬底1、n-漂移区2、电流传输层3、沟道区4、n+源区5、栅氧化层6、栅电极7、夹层氧化层8、半包结构9、源电极10和漏电极11，其中，所述N+衬底1、所述n-漂移区2、所述电流传输层3、所述沟道区4、所述n+源区5依次层叠，且具有从所述n+源区5表面延伸至所述电流传输层3内部的栅沟槽；所述栅氧化层6覆盖所述栅沟槽的底部和侧壁，且形成凹槽结构；所述栅电极7位于所述凹槽结构中；所述夹层氧化层8覆盖所述栅电极7、所述栅氧化层6和部分所述n+源区5；所述半包结构9从所述n+源区5的表面延伸至所述电流传输层3的内部，且包围所述栅氧化层6的一个侧面和部分底面；所述源电极10位于所述n+源区5、所述夹层氧化层8和所述半包结构9的表面；所述漏电极11位于N+衬底1远离所述n-漂移区2的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种双沟道半包结构UMOSFET器件
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